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文丨徐涛 王子源
日本经济产业省正式公告针对高端半导体设备的出口管制措施，并将于7月开始实施，措施内容符合我们先前预期。主要影响为清单内的6大类23种高端半导体设备（或物项）未来对华出口需申请许可证。中国大陆为日本主要半导体设备厂商的重要收入来源地区之一，出口限制主要针对先进芯片制造，符合预期，否则若全面限制、日本半导体相关产业也会有较大冲击。建议关注成熟制程扩产持续、先进制程国产替代力度有望加大背景下的半导体设备/零部件环节。
▍2023年5月23日，日本经济产业省发布省令，正式出台针对23种半导体制造设备（或物项）的出口管制措施，并将于7月23日开始实施。
该措施内容与3月31日的征询公众意见稿基本一致，符合先前预期（可参考《电子行业半导体重大事项点评—日本限制半导体设备出口，持续看好半导体设备国产化机会》（2023-4-23））。
▍本次措施主要是增加了6大类23种管制物项，对华出口需申请许可。
在清单内的受管制物品在向中国大陆、俄罗斯等地区出口时，需要获得日本经济产业省的许可证。清单主要针对高端半导体制造设备，尤其是特别聚焦了ArF浸没式光刻、EUV配套设备及部件、钴/钨等金属沉积、高深宽比刻蚀和硅锗刻蚀等技术指标较高、材料特殊、在先进制程有针对性应用的半导体设备品种，而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中。
▍具体这6大类23种半导体制造设备（或物项）主要包括：
1）光刻（4项）：ArF浸没式光刻机、用于EUV光刻的涂胶显影设备、用于EUV光刻的光罩护膜（清单中唯一一种非设备品种，用于EUV光罩的配套）及其生产设备。其中EUV光刻机（仅荷兰ASML提供）的采购国内长期受限，日本限制EUV配套产品没有实质影响，而ArF浸没式光刻机日本尼康有相关产品，未来需观察许可实际发放情况。
2）刻蚀（3项）：高深宽比刻蚀、硅锗刻蚀等。
3）薄膜沉积（11项）：用于钴、钨、钼、钌等金属薄膜、Contact层、Low-k等介质、掩膜版、硅和硅锗外延等沉积的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉积设备。
4）热处理（1项）：用于铜、钴、钨的低压退火设备。
5）清洗（3项）：铜膜清洗、干法清洗、晶圆改性后干燥的单片湿法清洗。
6）检测（1项）：EUV光刻掩膜版检测设备。
物项清单虽未明确说明设备对应的制程节点，但技术指标、应用于具体材料和工艺的描述均具有较强的针对性，主要面向与先进制程相关的设备品种。
▍中国大陆为日本主要半导体设备厂商的重要收入来源地区之一，本次出口限制主要针对高端半导体制造，符合我们先前预期。
以日本半导体设备公司东京电子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）为例，三家公司2022年报（2021.4.1-2022.3.31）中国大陆客户营收占比分别为28.3%、26.2%、28.4%，均为其最大收入来源地区。本次出口限制主要针对先进半导体制造，符合我们先前预期。否则若日本对华成熟芯片相关的半导体设备也实际施加限制，则将会影响日本相关设备公司的营收，长期削弱日本在半导体设备领域的份额优势，同时中国本土技术生态链有望在重压下加速本土替代。
▍风险因素：
后续对华半导体技术限制超预期风险；先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险；先进制程技术变革风险；下游需求波动风险。
▍投资策略：
当下从产业安全角度，建议重点关注设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”环节，有望获得政策推动。短期来看，建议关注日本及荷兰厂商占有领先地位的、并能够实现国产替代的设备/材料环节；长期来看，建议关注受益国产替代加速的设备、零部件、材料等各环节的相关公司。建议关注半导体设备/零部件公司。
